新聞中心
NEWS CENTER
半導體工藝（yì）方法和半（bàn）導體工藝設備與流程
發布時間：
2023-04-14
在自動（dòng）化半導體生產線上，半（bàn）導體工藝設備（bèi）(如，立式熱處理爐)的控製（zhì）係統通常以任務(job)為單（dān）位控製半導體工藝組件(例如，可包（bāo）括反應腔室（shì）、機械手等（děng）)完成半導體工藝，即，控製係（xì）統逐個（gè）任務地執行半導（dǎo）體工藝，每一晶圓（yuán）加工任務的任務信息均包括晶圓傳入反應腔（qiāng）室至完成工藝後傳出工（gōng）藝腔室的整個加工工序的流程信息。
例如，晶圓加工任務信息（xī）可以包含傳輸配方(load map recipe)和工藝配方(process recipe)，其中，傳輸配方包含晶圓(wafer)的傳輸（shū）路徑以及各工位（wèi）的位置分布情況（kuàng）等，工（gōng）藝配方（fāng）為涉及晶圓（yuán）加工工（gōng）藝的指令集（jí）合，用戶可以通過編輯工藝（yì）配方中的各工（gōng）藝步(step)來設置加工晶圓的必要控製條件，如溫度、氣體、壓力（lì）、時間等，使晶（jīng）圓的表麵上形（xíng）成所需的薄膜。
隨著半導體工藝設備所執行的晶圓加工任務逐（zhú）漸（jiàn）增加，反應腔室(如，立式熱處理爐的（de）爐管)內部沉積的薄膜厚度也隨之增加，因此（cǐ）為避免該薄膜（mó）影響半導體工藝的（de）正常進行，通常需每隔一段（duàn）時間對反應腔室內部進行清潔，以保證晶（jīng）圓（yuán）成膜的合格率和設備的使用壽命（mìng）。
具（jù）體地，工（gōng）作（zuò）人員在觀（guān）測到反應腔室內部沉積（jī）的薄膜厚度較厚時（shí），對控製係統進行（háng）手動操作，使控製係統在完成當前晶圓加工任務後，控製半（bàn）導體工藝（yì）組件執行（háng）腔（qiāng）室清潔任務，而後再手動操作控製係統，使（shǐ）之繼續控製半導體工藝組件執行下一晶圓加工任務。
該腔室清潔任務的信息可包含清（qīng）潔（jié）工藝（yì）配方（fāng）(purge recipe)，具體可包含將晶舟(boat)升至爐管(tube)的頂端，使爐管處於封閉狀態，並向封閉的爐管環境（jìng）中通入特殊氣體，進而通過物（wù）理或化（huà）學方式將爐管內壁（bì）和晶舟表麵的（de）雜質去除並排出的（de）一係列指令集合。
然而，在現有技術中，不僅反應腔室內部沉（chén）積（jī）的薄膜厚度需要人工觀（guān）測、記錄，腔（qiāng）室清潔任務前後也需要操（cāo）作人員手動操作（zuò）控製係統改變（biàn）任務狀態，不（bú）僅容易存在（zài）較大的人為記錄誤差，還需要（yào）耗費大量人力及人工操作時間，延長（zhǎng）了停工時間(downtime)和維護保養時間（jiān）(maintenancetime)，影響（xiǎng）半導體（tǐ）工藝生產線的生（shēng）產節奏。
因此，如何提供一種能夠實現（xiàn）自動化清（qīng）潔反應腔室（shì）的半導體工藝（yì）方法及半導體工藝設備，成為本領域亟待解決的技術問題。
上一頁（yè）
下一（yī）頁
推薦新聞
2025-02-06
2025-01-07
2024-12-08
2024-11-08
2024-10-09
